Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,66Вт

Name: Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,66Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMG1029SVQ-7
Price: 22.17 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMG1029SVQ-7

22,17 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMG1029SVQ-7

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид транзистора:

додаткова пара

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 7 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Корпус:

SOT563

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60/-60В

Опір в стані провідності:

1,7/4Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,66Вт

Струм стока:

0,4/-0,28А

Тип транзистора:

N/P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20/15нКл

Корпус:
PowerPAK® SC70

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
DFN2030-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
CSP6

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26/20нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
0,15Вт

Струм стока:
0,18А

Бажані

100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,7нКл

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Бажані

4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,5нКл

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
1Вт