Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 20/-20В; 400/-300мА

Немає в наявності
Код товару: PMCXB900UELZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMCXB900UELZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 700пКл/2,1нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8/±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 1/2,1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 400/-300мА
Струм стоку в імпульсі: -2...2,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 23,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 01005; 31мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 01005; 31мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,63 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 10x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 10x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

24671,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2094; UL CM
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6