Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 20/-20В; 5,3/-4,5А

Немає в наявності
Код товару: PMCPB5530X,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMCPB5530X,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21,7/12,2нКл
Корпус: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12/±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 34/70мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 5,3/-4,5А
Струм стоку в імпульсі: -14...12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м

20,84 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло

276,86 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Електрична стійкість:
300000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Матеріал контакту:
срібло
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6