Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 20/-20В; 500/-350мА

Немає в наявності
Код товару: PMDT290UCEH
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: PMDT290UCEH
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,68/1,14нКл
Корпус: SOT666
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8/±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 610мОм/1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 500/-350мА
Струм стоку в імпульсі: -2,2...3,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 49,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 49,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

83,63 грн

Alias:
C1812C101JHGAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel

6882,29 грн

Type of threading die:
inch tubular
Вид різьблення:
NPTF; конусна; права
Висота:
14мм
Відповідність стандарту:
DIN 223; DIN EN 22568
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31

889,51 грн

Виводи:
болтове
Висота:
82мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
36мм
Недоступний
Свердло; кернові; Ø: 34мм; L: 84мм; сталь; weldon; 3/4"
Свердло; кернові; Ø: 34мм; L: 84мм; сталь; weldon; 3/4"

4185,89 грн

Вид рукоятки:
weldon
Використання інструментів:
алюміній; бронза; нержавіюча сталь; пластмаса; сталь
Глибина свердління:
макс. 50мм
Діаметр свердла:
34мм
Резистор: thin film; 12,1кОм; SMD; 0603; 210мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 12,1кОм; SMD; 0603; 210мВт; ±0,1%; -55÷155°C

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD