Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-3,7А

Немає в наявності
Код товару: SI5513CDC-T1-GE3
13,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5513CDC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,6/4,2нКл
Корпус: ChipFET8
Корпус - дюйм: 1206
Корпус - мм: 3216
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 255/85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 4/-3,7А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 1.27mm; nomex
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 1.27mm; nomex

81,09 грн

Connector family:
data
Виводи:
прямі
Довжина:
25,4мм
Кількість ліній:
18
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 20кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
20кОм
Наконечник; конус; 0,4мм; 420÷475°C; до паяльної станції
Наконечник; конус; 0,4мм; 420÷475°C; до паяльної станції

1118,22 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
0,4мм
Супутні товари:
TMT-9000S-2
Недоступний
Резистор: thick film; 60мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 60мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

3,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 52Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 52Вт

4690,20 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
4,3А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,56 грн

Alias:
KAM05AR71H332KH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD