Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40/-40В; 8/-7,4А

Немає в наявності
Код товару: SI4564DY-T1-GE3
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4564DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 31/63нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В; ±20В
Напруга сток-джерело: 40/-40В
Опір в стані провідності: 17,5/21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2/2,1Вт
Струм стока: 8/-7,4А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 31; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 31; THT; straight

41,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 400В; 0,3А; 0,225Вт; SOT23-3
Транзистор: NPN; біполярний; 400В; 0,3А; 0,225Вт; SOT23-3

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
400В
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM

703,88 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
34MM
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

3,14 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS

14,64 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
B
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD