Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 34Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ504EP-T1_GE3
34,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 100А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 415ВAC; IP20
Аварійний вимикач; Iном: 100А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 415ВAC; IP20

37398,68 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%

1,50 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V

116,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс

743,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP48; 1,62÷3,63ВDC; 8кБSRAM,64кБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; TQFP48; 1,62÷3,63ВDC; 8кБSRAM,64кБFLASH

118,47 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
GPIO; I2C; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
38
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 15x22AWG; MPPE; темно-сірий; 300В
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 15x22AWG; MPPE; темно-сірий; 300В

40307,96 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

16,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,8нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт