Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-80В; 6/-6А; 2,5Вт

Немає в наявності
Код товару: FDMQ8203
131,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMQ8203
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: MOSFET H-Bridge
Заряд затвора: 19/5нКл
Корпус: WDFN12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100/-80В
Опір в стані провідності: 323/191мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 6/-6А
Тип транзистора: N/P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 562Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 562Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1206

43,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16

57,65 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CWG; HLT; NCO; PoR; PPS; watchdog; zero cross detect; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
EUSART; I2C; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SMBus; SPI
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
DFN8
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

506,84 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Провід; ÖLFLEX® 540 P; 4G1,5мм2; неекранований; 450В,750В; Cu
Провід; ÖLFLEX® 540 P; 4G1,5мм2; неекранований; 450В,750В; Cu

491,64 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я; що самогаситься
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD