Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 2,5Вт; WDFN12

Немає в наявності
Код товару: FDMQ8205A
206,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMQ8205A
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: WDFN12
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 51/147мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N/P-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
12пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD

55,12 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
GPIO; ICSP
Ключ: насадковий; 8мм; хром-ванадієва сталь; L: 250мм
Ключ: насадковий; 8мм; хром-ванадієва сталь; L: 250мм

499,24 грн

Відповідність стандарту:
DIN 475
Довжина:
0,25м
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Різновид рукоятки:
T
M12; 1.5; IP68; stainless steel; HSK-INOX-Ex; Cable gland: cable
M12; 1.5; IP68; stainless steel; HSK-INOX-Ex; Cable gland: cable

978,21 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
II 2G Ex eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Довжина гвинта:
6,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 464кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 464кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; P; 17,8x16,9x6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; P; 17,8x16,9x6,7мм

66,52 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,8x16,9x6,7мм
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6