Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -20А; 1,52Вт

Немає в наявності
Код товару: DMP3097L-7
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP3097L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 13,4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,52Вт
Струм стока: -3,1А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 14ВAC; 18ВDC; 22В; 100А; Ø: 5мм; Ø5мм
Варистор: металооксидний; THT; 14ВAC; 18ВDC; 22В; 100А; Ø: 5мм; Ø5мм

5,45 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
5мм
Енергія E10/1000мкс:
200мДж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 12Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 47Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C

0,13 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD