1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TP5322K1-G
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP5322K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -220В
Опір в стані провідності: 12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм стока: -120мА
Струм стоку в імпульсі: -0,7А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; SMT; 3A; 100V

312,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; SMT; 3A; 250V

87,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,2мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 23,7кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 23,7кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 1А; 500мВт; TO18
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 1А; 500мВт; TO18

1035,23 грн

Корпус:
TO18
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
80В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; DO213AB; 1мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; DO213AB; 1мкА

697,54 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 511кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 511кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,8пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 1,7Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 1,7Вт; TO252

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD