Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RV4E031RPHZGTCR1
17,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Код товару: RV4E031RPHZGTCR1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -3,1А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Провід; Pro-Tekt; 8x26AWG; неекранований; 300В; 100м; Cu; тросик
Провід; Pro-Tekt; 8x26AWG; неекранований; 300В; 100м; Cu; тросик

11090,99 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2464; UL 10002; VW-1
Недоступний
Провід; Pro-Tekt; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 100м; 328футів
Провід; Pro-Tekt; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 100м; 328футів

29678,83 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; EN 60332-1; EN 60332-2; UL 2464; UL 10002; UL CM; VW-1
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 3A; 125V

286,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
3мм
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 31,4В; 21,9А; односпрямована; SMB; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 31,4В; 21,9А; односпрямована; SMB; 1KSMB

28,51 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
28,2В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; NOR; IN: 2; SMD; SOP14; AC
IC: цифровий; NOR; IN: 2; SMD; SOP14; AC

0,00 грн

Вид затвору:
NOR
Корпус:
SOP14
Монтаж:
SMD
Серія виробника:
AC
Недоступний
Мінімальний розчіплювач напруги
Мінімальний розчіплювач напруги

4875,83 грн

Тип захисного пристрою:
мінімальний розчіплювач напруги
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 3x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 3x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м; Cu

18911,58 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(uL) AWM I/II A/B FT4; UL 2661; UL 10002; UL CM; UL CMG; UL PLTC; UL SUN RES
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD