Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AO3407A
Price: 8.11 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: AO3407A

8,11 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5

Код товару:

AO3407A

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

6нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

78мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,9Вт

Струм стока:

-3,5А

Струм стоку в імпульсі:

-25А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
PQFN3.3X3.3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±25В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TSDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±25В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD