1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,5А; 1,25Вт; TSMT6

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,5А; 1,25Вт; TSMT6
Немає в наявності
Код товару: RSQ035P03HZGTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 214
Код товару: RSQ035P03HZGTR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -3,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,7пФ
Connector: D-Sub HD; PIN: 15; socket; male; data transfer; angled
Connector: D-Sub HD; PIN: 15; socket; male; data transfer; angled

62,09 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
15
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; HyperBus; 100МГц; 2,7÷3,6В; FBGA24
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; HyperBus; 100МГц; 2,7÷3,6В; FBGA24

342,12 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
HyperBus
Корпус:
FBGA24
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 103А; Idm: 658А; 83Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 103А; Idm: 658А; 83Вт; WDFN8

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32,7нКл
Корпус:
WDFN8
Розпод.пристрій; IP44; накладний; ABS; Різьба: PG 16
Розпод.пристрій; IP44; накладний; ABS; Різьба: PG 16

1896,86 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61439-1
Клас герметичності:
IP44
Конструкція:
гніздо 250В x2; гніздо CEE 16A 400В 5P з кабелями x1; гніздо CEE 32A 400В 5P з кабелями x1
Матеріал корпусу:
ABS
Недоступний
Резистор: power metal; 5мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%
Резистор: power metal; 5мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%

5,70 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 40В; 10,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 40В; 10,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

57,02 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8