Транзистор: P-MOSFET; 30В; 60мА; 500мВт

Немає в наявності
Код товару: 2N5115UB/TR
3113,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 7
Код товару: 2N5115UB/TR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 100Ом
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 60мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 340 600V; 37x1,5мм2; неекранований; Cu
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 340 600V; 37x1,5мм2; неекранований; Cu

1663,71 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC

18259,02 грн

Виводи:
безгвинтові виводи
Вид виходу 1:
реле
Застосування - серія/виробник:
CJ
Зовнішні розміри:
90x31x89мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА

141,28 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,85÷4,5ВDC; Uвих: 3ВDC; 0,45А; SC70
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,85÷4,5ВDC; Uвих: 3ВDC; 0,45А; SC70

185,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
3В DC
Вихідний струм:
0,45А
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1Вт; TSMT3

53,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -4А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -4А; SOT23F

8,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Струм стока:
-4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В