Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1Вт; TSMT3

Name: Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1Вт; TSMT3
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RQ5C020TPTL
Price: 53.59 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: RQ5C020TPTL

53,59 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 296

Код товару:

RQ5C020TPTL

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

TSMT3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

135мОм

Потужність розсіювання:

1Вт

Струм стока:

-2А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11,7нКл

Корпус:
SOT23-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; Idm: -100А; 22,5Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; Idm: -72А; 22Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт

17,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
DFN2020-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -53А; 3Вт; SOP8

25,97 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
35нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; 2,9Вт; SC70-6

9,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SC70-6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -35А; 34Вт

45,61 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-5...20В

Напруга сток-джерело:
-30В