1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; -30В; HSOP8

Транзистор: P-MOSFET; -30В; HSOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RS1E260ATTB1
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 17
Код товару: RS1E260ATTB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 3,1мОм
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

929,42 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
31мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPDT; MP22; 5A/250ВAC; IP65

1421,06 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 0,55м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 0,55м; вилка; 60ВDC

731,75 грн

Довжина кабелю:
0,55м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67; IP68
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В