Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 40Вт; HSMT8

Немає в наявності
Код товару: RQ3L120BJFRATCB
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 133
Код товару: RQ3L120BJFRATCB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Корпус: HSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -20...5В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 106мОм
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 40В; 6,9А; односпрямована; DO220AA,SMP; SMP
Діод: TVS; 400Вт; 40В; 6,9А; односпрямована; DO220AA,SMP; SMP

5,26 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40В
Недоступний
IC: цифровий; декодер,демультиплексор; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSSOP16
IC: цифровий; декодер,демультиплексор; Ch: 2; IN: 1; SMD; TSSOP16

9,63 грн

Вид об'єднаної схеми:
декодер; демультиплексор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP16
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 43нГн; 190мА; R: 1,6Ом; ±2%
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 43нГн; 190мА; R: 1,6Ом; ±2%

6,59 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
43нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 31,1В; 13,2А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 31,1В; 13,2А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
28В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; ATP; PIN: 4; IP67; 25А
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; ATP; PIN: 4; IP67; 25А

478,33 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
З`єднання: на рейку; APG; 32А; 800В; push-in; вемид; 26AWG÷10AWG
З`єднання: на рейку; APG; 32А; 800В; push-in; вемид; 26AWG÷10AWG

367,46 грн

Електричний монтаж:
push-in
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал корпусу:
вемид
Номінальна напруга:
0,8кВ
Недоступний
IC: FPGA; Число макровічок: 56520; лоток
IC: FPGA; Число макровічок: 56520; лоток

8716,43 грн

Вид упаковки:
лоток
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
56520
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET