Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2301CDS-T1-GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 142мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -1,8А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201

2,53 грн

Alias:
KGM03CR51A225MH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи

1228,46 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Конструкція кабелю/переходу:
IDC; вільні проводи
Супутні товари:
IS2-2IDC-S-30; IS2-2IDC-W-30; IS2-IDC-S-30; IS2-IDC-S-30-LED-U1; IS2-IDC-W-30
Тип аксесуарів для автоматизація:
кабель
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний

439,69 грн

Застосування - серія/виробник:
2B
Зовнішній діаметр проводу:
7,8...8,8мм
Колір:
чорний
Тип аксесуарів для роз’ємів:
амортизатор
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24

60,19 грн

Вид об'єднаної схеми:
4 to 16 line; декодер; защілка
Корпус:
SO24
Монтаж:
SMD
Сімейство:
CD4000
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC

17,36 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
11В
Робоча температура:
-55...150°C
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; 1,6Вт; SuperSOT-6

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SuperSOT-6