Транзистор: P-MOSFET; -60В; -80А; 340Вт; D2PAK

Name: Транзистор: P-MOSFET; -60В; -80А; 340Вт; D2PAK
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: SPB80P06P G
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SPB80P06P G

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 15

Код товару:

SPB80P06P G

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

D2PAK

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

-60В

Опір в стані провідності:

23мОм

Потужність розсіювання:

340Вт

Струм стока:

-80А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА; SIP8

1074,51 грн

Вихідна напруга:
15В DC

Вихідний струм:
67мА

Вхідна напруга:
9...36В DC

Захист:
від короткого замикання SCP

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK; TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-0,1А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44нКл

Корпус:
D2PAK; TO263