Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO3P

Немає в наявності
Код товару: IXTQ52P10P
507,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ52P10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -52А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 120нс
Резистор: thin film; 220кОм; 0805; 130мВт; ±0,5%; RT; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 220кОм; 0805; 130мВт; ±0,5%; RT; 25ppm/°C

1,05 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
220кОм
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика

42031,22 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 166МГц; VFBGA54; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 166МГц; VFBGA54; -40÷85°C

452,99 грн

Вид пам’яті:
DRAM; SDRAM
Корпус:
VFBGA54
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 12А; 180Вт; D2PAK,TO263; 155нс
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 12А; 180Вт; D2PAK,TO263; 155нс

129,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1,2мкФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1,2мкФ; 450ВDC; THT; ±10%

12,42 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
1,2мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,26Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,26Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Викрутка: стандартний; Torx®; TX06; Довж.леза: 75мм
Викрутка: стандартний; Torx®; TX06; Довж.леза: 75мм

232,51 грн

Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки; ергономічна рукоятка; протиковзке покриття рукоятки; рукоятка з отвором для підвішування; рукоятка, покрита гумою; хромоване лезо; чорнений наконечник леза
Довжина леза:
75мм
Загальна довжина:
170мм
Матеріал стержня:
сталь
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -150В; -22А; 150Вт; 150нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -150В; -22А; 150Вт; 150нс

316,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC