1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -90А; 462Вт; TO268

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -90А; 462Вт; TO268
Немає в наявності
Код товару: IXTT90P10P
752,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT90P10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 462Вт
Струм стока: -90А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 144нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V

306,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,9мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; неекранований; вилка; TPU; IP67
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; неекранований; вилка; TPU; IP67

1149,27 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Конденсатор: поліестровий; 2,2нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 2,2нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; THT

18,37 грн

Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8