1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -30А; 190Вт; 260нс

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -30А; 190Вт; 260нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTR48P20P
448,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTR48P20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: ISOPLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: -30А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 260нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

621,52 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1

26,17 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
відвертаючий; неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
1
Кількість каналів:
2
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1

9,31 грн

Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC

47142,10 грн

Вид виходу 1:
NPN; PNP
Висота:
670мм
Дальність:
0,5...20м
Категорія безпеки:
4
Недоступний
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
48В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А

5,07 грн

Максимальна напруга:
16В
Максимальний струм:
100А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
4А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT