Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; 414нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP10P50P
421,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -10А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 414нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Tip: desoldering; 0.6x1mm
Tip: desoldering; 0.6x1mm

764,07 грн

Застосування паяльного обладнання:
для відпайки; для чищення контактних майданчиків
Розміри наконечника:
0,6x1мм
Супутні товари:
JBC-DS-A; JBC-DSS-2D
Тип наконечника:
desoldering
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
QFN20
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin

465,03 грн

Діаметр проводу макс.:
11,6мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -12А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -12А; 45Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -90В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -90В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; 50Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; 50Вт; IPAK,TO251

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс

198,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT