1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; 414нс

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; 414нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP10P50P
421,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -10А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 414нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 2,2мкГн; 480мА; R: 0,43Ом; ±10%; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 2,2мкГн; 480мА; R: 0,43Ом; ±10%; ферит

12,80 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
2,2мкГн
Недоступний
IC: цифровий; 8bit,статический зрушуючий реєстр; CMOS; SMD; SO16
IC: цифровий; 8bit,статический зрушуючий реєстр; CMOS; SMD; SO16

21,54 грн

Вид об'єднаної схеми:
8bit; статический зрушуючий реєстр
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 12,1Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,1Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Маркер: кабельний; Маркування: 4; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; CLI C; H: 3мм
Маркер: кабельний; Маркування: 4; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; CLI C; H: 3мм

3,41 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
1,3...3мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
GQFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс

629,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -32А; 83Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -32А; 83Вт; TO220AB

193,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251B
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251B

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO251B
Монтаж:
THT