Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -600В; -32А; 890Вт; TO264

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTK32P60P
935,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 196нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -600В
Опір в стані провідності: 0,35Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: -32А
Технологія: PolarP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 480нс
Діод: випрямний; THT; 6кВ; 20мА; Ifsm: 3А; Ammo Pack; Ufmax: 40В
Діод: випрямний; THT; 6кВ; 20мА; Ifsm: 3А; Ammo Pack; Ufmax: 40В

48,15 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
6кВ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 22нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 22нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±10%; THT

3,03 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

508,11 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SDMMC; SPI; SWPMI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
82
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-112; CuBe; 5N; screw-in; 20mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-112; CuBe; 5N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 1.5A

520,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Симістор; 1кВ; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 1кВ; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

106,44 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 315мА; R: 1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 315мА; R: 1Ом

10,07 грн

Високосортність:
50
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс

459,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -48А; 150Вт; 30нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -48А; 150Вт; 30нс

285,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -150В; -22А; 150Вт; 150нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -150В; -22А; 150Вт; 150нс

316,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
ISOPLUS247™