Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23,5А; 155Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FQB34P10TM
171,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 155Вт
Струм стока: -23,5А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 40В; 51,7А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 40В; 51,7А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

23,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Test probe: high current; 20A; Ø: 1.75mm; HSS-118; CuBe; 3N; 10mΩ
Test probe: high current; 20A; Ø: 1.75mm; HSS-118; CuBe; 3N; 10mΩ

755,20 грн

Type of test probe:
high current
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,75мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 26,7÷29,5В; 77,2А; двоспрямована; ±5%; SMLJ
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 26,7÷29,5В; 77,2А; двоспрямована; ±5%; SMLJ

55,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
Недоступний
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 9÷60ВDC; RJ45
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 9÷60ВDC; RJ45

25434,65 грн

Вид модуля:
некерований
Висота:
113,5мм
Глибина:
27,3мм
Кількість портів:
7
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; straight

23,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8