1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,1А; Idm: -12А; 25Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,1А; Idm: -12А; 25Вт
Немає в наявності
Код товару: IRFU9110PBF
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFU9110PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 8,7нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: -3,1А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 400А; 3ВА; 142x50x144мм; Клас: 1
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 400А; 3ВА; 142x50x144мм; Клас: 1

10448,57 грн

Зовнішні розміри:
142x50x144мм
Клас точності:
1
Потужність:
3ВА
Серія виробника:
DM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THR,THT; 3A

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
11,9мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

529,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,31мм
Допуск:
±2%
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А

1009,88 грн

Діаметр отвору:
23мм
Зовнішні розміри:
52x46,5x56,5мм
Клас точності:
1
Потужність:
2ВА
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
10,2кОм
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В

81,73 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220F
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT