Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -35А; Idm: -140А; 119Вт

Немає в наявності
Код товару: WMO30P10TS
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO30P10TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 115нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -140А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: MAX3109ETJ+; конвертер; 3,3ВDC
Click board; макетна плата; Комп: MAX3109ETJ+; конвертер; 3,3ВDC

2920,68 грн

Вид модуля:
конвертер
Властивості аксесуарів для пускових комплектів:
ClickID
Інтерфейс:
GPIO; I2C; SPI; UART
Компоненти:
MAX3109ETJ+
Недоступний
Кристал; 22,5792МГц; 20пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм
Кристал; 22,5792МГц; 20пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм

3,93 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
20пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Викрутка: стандартний; плоскa; 3x0,5мм
Викрутка: стандартний; плоскa; 3x0,5мм

156,49 грн

Розмір грота:
3x0,5мм
Тип викрутка:
стандартний
Тип грота:
плоскa
Недоступний
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований

1118,22 грн

Вид ключа:
гачковий
Відповідність стандарту:
DIN 1810
Довжина:
242мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок

2742,02 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
інтелігентний будинок
Дальність:
30м
Застосування - серія/виробник:
E-Design55
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4

16,03 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Властивості інтегральних мікросхем:
Manual Reset
Недоступний
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD