1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS05P10TS
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS05P10TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,6МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

38,65 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 25А; Полюси: 4
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 25А; Полюси: 4

4389,89 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TAJ

63,99 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
E
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; LFBGA144; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; LFBGA144; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

653,19 грн

Вид архітектури:
ARM; Cortex M7
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
DAC; EBI; EMI; I2C; I2C x3; I2S; IrDA; MMC; QSPI; SPI x5; UART; UART x8; USART; USB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,4пФ
Недоступний
Запобіжник: плавка; 15А; 600ВAC; 300ВDC; повільні
Запобіжник: плавка; 15А; 600ВAC; 300ВDC; повільні

0,00 грн

Номінальна напруга:
300В DC; 600В AC
Номінальний струм:
15А
Тип запобіжника:
плавка
Характеристика запобіжника:
повільні
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD