1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -10А; Idm: -70А; 2,16Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -10А; Idm: -70А; 2,16Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP1011LFV-13
17,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMP1011LFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 18,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,16Вт
Струм стока: -10А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C

0,00 грн

Max DNL:
±0,18LSB
Max INL:
±0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10

97,57 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0543-0536-0-52
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128

8,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
23,1В
Корпус:
SOD128
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм

299,04 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
CAN; debugWIRE; LIN; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
10
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
150В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW

10,01 грн

Високосортність:
39
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
6,2нГн
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8