1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
Немає в наявності
Код товару: RAF040P01TCL
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RAF040P01TCL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: TUMT3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V

151,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 10ВDC; ±20%

9,57 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI

136,21 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
вбудований тактовий генератор
Інтерфейс:
I2C; IrDA; Smart Card; SMBus; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
60
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 5; P1200; straight; THT; 1x5
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 5; P1200; straight; THT; 1x5

22,36 грн

Connector family:
data
Виводи:
ззаду
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Iвих: 15А; SMT; 12x11x5,3мм; ККД: 95%; OUT: 1; IT
Перетворювач: DC/DC; Iвих: 15А; SMT; 12x11x5,3мм; ККД: 95%; OUT: 1; IT

0,00 грн

Використання:
IT
Вихідна напруга:
0,5...5В
Вихідний струм:
15А
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від зниженого напруги UVLO; макс. струму OCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 50ВDC; ±20%

67,16 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8