Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -60А; 68Вт; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJ411EP-T1_GE3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ411EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: -60А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMPC,TO277A; SMD; 30В; 12А
Діод: випрямний Шотткі; SMPC,TO277A; SMD; 30В; 12А

18,63 грн

Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMPC; TO277A
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,56В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 100V

299,04 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 37G0,7мм2; неекранований
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 37G0,7мм2; неекранований

795,74 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
M32; 1.5; IP68; brass; HSK-M-Ex-d; Cable gland: cable
M32; 1.5; IP68; brass; HSK-M-Ex-d; Cable gland: cable

1777,12 грн

Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
II 1D Ex ta IIIC Da / II 2G Ex db IIC Gb
Довжина гвинта:
16мм
Зовнішній діаметр проводу:
18...25мм
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 760ВAC; пригвинчуваний; 1,5кА
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 760ВAC; пригвинчуваний; 1,5кА

102047,77 грн

Виводи:
конектори
Вид фільтру:
трифазний
Використання:
фотоелектрика
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thin film; 150мОм; THT; 500мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові
Резистор: thin film; 150мОм; THT; 500мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові

5,51 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8