Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -7,7А; Idm: -24А; 3,3Вт; WDFN6

Немає в наявності
Код товару: NTLJS2103PTBG
15,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTLJS2103PTBG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,8нКл
Корпус: WDFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,3Вт
Струм стока: -7,7А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; SSOP28; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; SSOP28; PIC24; туба

244,55 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x6; HLVD; PoR; RTCC; watchdog; XLP; кодування AES/DES
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; PPS; PWM; RS232; RS485; Smart Card; SPI x3; UART x4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

39,91 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 59Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
59Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,96Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

3,74 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
220пФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
231нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23