Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -7,7А; Idm: -24А; 3,3Вт; WDFN6

Немає в наявності
Код товару: NTLJS2103PTBG
15,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTLJS2103PTBG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,8нКл
Корпус: WDFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,3Вт
Струм стока: -7,7А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт

23508,01 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Максимальна потужність:
55кВт
Резистор: thick film; 33кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 33кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Діод: зенера; 1,3Вт; 68В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack
Діод: зенера; 1,3Вт; 68В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack

8,74 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
68В
Корпус:
DO41
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 38; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 38; THT; straight

24,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
38
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 12; прямий; на панель
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 12; прямий; на панель

111,51 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
12
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23