Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -7,7А; Idm: -24А; 3,3Вт; WDFN6

Немає в наявності
Код товару: NTLJS2103PTBG
15,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTLJS2103PTBG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,8нКл
Корпус: WDFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,3Вт
Струм стока: -7,7А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт

23510,55 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Максимальна потужність:
55кВт
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

0,16 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 1м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; 765; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 1м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; 765; PUR

2437,91 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; кутовий; 3м; вилка; 125ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; кутовий; 3м; вилка; 125ВDC

785,61 грн

Довжина кабелю:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 2А; 3,5÷4,44В
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 2А; 3,5÷4,44В

205,90 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Вихідна напруга:
3,5...4,44В
Вихідний струм:
2А
Інтерфейс:
I2C
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА

1621,90 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD