Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFR9210TR-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR9210TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,9нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: -1,2А
Струм стоку в імпульсі: -7,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; SOIC8
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; SOIC8

20,84 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 10,55В; 39А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 10,55В; 39А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB

9,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
9В
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; PIN: 4
Роз’єм: затискна планка на плату; PIN: 4

0,00 грн

Кількість пін:
4
Тип роз’єму:
затискна планка на плату
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 1.5A

956,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Click board; MAX22210; макетна плата; 3,3ВDC,5ВDC; Розмір: L
Click board; MAX22210; макетна плата; 3,3ВDC,5ВDC; Розмір: L

1702,99 грн

Вид модуля:
контролер крокового двигуна
Властивості аксесуарів для пускових комплектів:
ClickID
Інтерфейс:
GPIO
Компоненти:
MAX22210
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 200кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
200кОм
Недоступний
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 15В; 300мА; IP00; PT
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 15В; 300мА; IP00; PT

741,26 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
15В
Зовнішні розміри:
37x44x33мм
Клас герметичності:
IP00
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD