Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -24А; 300Вт; TO247-3; 250нс

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -24А; 300Вт; TO247-3; 250нс
Brand: IXYS
SKU: IXTH24P20
Price: 465.66 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXTH24P20

465,66 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 300

Крок додавання: 300

Код товару:

IXTH24P20

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

150нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-200В

Опір в стані провідності:

0,15Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

300Вт

Струм стока:

-24А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Час готовності:

250нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
61нКл

Корпус:
TO247AC

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
PG-TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
175нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO220F

Модель:
ESD

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
64,7нКл

Корпус:
TO247AC