Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RZM001P02T2L
12,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RZM001P02T2L
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT723
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 3,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: -0,1А
Струм стоку в імпульсі: -400мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Test probe: RF; Ø: 5mm; HFS-440; steel; Blade tip shape: head 43; 5N
Test probe: RF; Ø: 5mm; HFS-440; steel; Blade tip shape: head 43; 5N

15435,27 грн

Type of test probe:
RF
Вигин пружини макс.:
3мм
Діаметр наконечника:
5мм
Довжина:
31,1мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,05кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 2,05кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 340кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 340кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thin film; 1,54кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 1,54кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Фільтр: цифровий; ECMF; QFN10; Ch: 4; USB port ESD protection
Фільтр: цифровий; ECMF; QFN10; Ch: 4; USB port ESD protection

35,48 грн

Вид фільтру:
ECMF
Використання:
USB port ESD protection
Кількість каналів:
4
Корпус:
QFN10
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; I2C; 32Кx8бит; MSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; I2C; 32Кx8бит; MSOP8; послідовний

55,75 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В