Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIB4317EDK-T1-GE3
11,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIB4317EDK-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Потужність розсіювання: 1,95Вт
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 470нФ; 350ВAC; THT; ±20%; 22,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 470нФ; 350ВAC; THT; ±20%; 22,5мм

33,01 грн

Вид конденсатора:
X2
Висота:
18,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
26,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5,08мм

3,61 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 220ВAC; 630ВDC; 27,5мм; ±10%
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 220ВAC; 630ВDC; 27,5мм; ±10%

43,72 грн

Висота:
21мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
31,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 44,7В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 44,7В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

944,00 грн

Зворотна напруга макс.:
35,8В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
44,7В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4; THT

491,00 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT

193,23 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,7x6x9,7мм
Кількість виходів:
1
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8