Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323; ESD

Немає в наявності
Код товару: DMG1013UWQ-7
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG1013UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,31Вт
Струм стока: -0,54А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 0,7А; 780нс; DO219AD,microSMP; Ifsm: 20А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 0,7А; 780нс; DO219AD,microSMP; Ifsm: 20А

2,78 грн

Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO219AD; microSMP
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,1В
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC

26,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
11В
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805

21,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм

5,45 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА

1866,45 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,666А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C

1016,22 грн

Ємність:
30пФ
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
326нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

10,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3