Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTS4101PT1G
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,4нКл
Корпус: SC70; SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,329Вт
Струм стока: -0,62А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 620Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
620Ом
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В

86,80 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,7А
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN28; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN28; PIC16

83,00 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CWG; HLT; NCO; PoR; PPS; watchdog; zero cross detect; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
EUSART; I2C x2; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SMBus; SPI x2
Резистор: вуглецевий; 680кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм
Резистор: вуглецевий; 680кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм

0,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,8мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷300В; Клас: 1,5; True RMS; Uвх: 300В
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷300В; Клас: 1,5; True RMS; Uвх: 300В

4126,34 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
L1-L2, L2-L3, L3-L1, 0; перемикач вибору фаз
Вхідна напруга:
300В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

6,34 грн

Alias:
C0603C474K3RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD