Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт

Немає в наявності
Код товару: CSD25483F4T
26,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD25483F4T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 1070мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1,6А
Струм стоку в імпульсі: -6,5А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 264кБSRAM; LQFP144; 2,2÷3,6ВDC; 204МГц
IC: мікроконтролер ARM; 264кБSRAM; LQFP144; 2,2÷3,6ВDC; 204МГц

646,86 грн

Вид архітектури:
Cortex M4/M0
Інтерфейс:
CAN; Ethernet; I2C; IrDA; Microwire; SPI; USART; USB OTG
Кількість входів/виходів:
83
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0402

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET