Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,9А; Idm: -8А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMG2301LK-13
4,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMG2301LK-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 3,4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 298мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -1,9А
Струм стоку в імпульсі: -8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: плавка; TE5; 20А; 250ВAC; повільні
Запобіжник: плавка; TE5; 20А; 250ВAC; повільні

3,36 грн

Вид запобіжника:
мініатюрний
Енергія I2t:
2600А2с
Макс. спад напруги:
0,1В
Номінальна напруга:
250В AC
Трубка термоусаджувальна; тонкостінна,еластичний; 2: 1; 6,4мм
Трубка термоусаджувальна; тонкостінна,еластичний; 2: 1; 6,4мм

136,21 грн

Вид упаковки:
ролик
Вміст упаковки:
60м
Діаметр після усадження:
3,2мм
Коефіцієнт усадження:
2:1
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: M23; для проводу; 10÷14мм
Корпус для з’єднувачів: M23; для проводу; 10÷14мм

4151,04 грн

Зовнішній діаметр проводу:
10...14мм
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Механічний монтаж:
для проводу
Система блокування:
внутрішня різьба
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 1кВА; 230ВAC,400ВAC; 115В,230В; IP00
Трансформатор: мережевий; 1кВА; 230ВAC,400ВAC; 115В,230В; IP00

9911,95 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
115В; 230В
Зовнішні розміри:
150x156x146мм
Клас герметичності:
IP00
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 480МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 480МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC

784,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M4; Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; SMPS; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LPUART; MDIO; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
112
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET