Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -80А; 2,4Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -80А; 2,4Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP2008UFG-13
Price: 12.29 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMP2008UFG-13

12,29 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

DMP2008UFG-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

72нКл

Корпус:

PowerDI3333-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

17мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,4Вт

Струм стока:

-11А

Струм стоку в імпульсі:

-80А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
PQFN3.3X3.3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,2нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD