Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -13,5А; 2,5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: FDS4465
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDS4465
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 10,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -13,5А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

168,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
Недоступний
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,23А; 420мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,23А; 420мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,72нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,49А; 0,5Вт; SC59
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,49А; 0,5Вт; SC59

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -140мА; Idm: -1,2А; 0,33Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -140мА; Idm: -1,2А; 0,33Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SC74; TSOP6