Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF9Z24SPBF
105,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: -7,7А
Струм стоку в імпульсі: -44А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 0,6м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 0,6м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C

1326,03 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 25В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ52xxE
Діод: зенера; 0,5Вт; 25В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ52xxE

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
25В
Недоступний
Connector: wire-board; plug; male; data; MAS-CON; PIN: 21; 2.54mm
Connector: wire-board; plug; male; data; MAS-CON; PIN: 21; 2.54mm

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
21
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 6,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В
Резистор: вуглецевий; 6,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD