Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 1Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 1Вт
Brand: ONSEMI
SKU: NTJS4151PT1G
Price: 27.24 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: NTJS4151PT1G

27,24 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NTJS4151PT1G

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SC70-6; SC88; SOT363

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

60мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1Вт

Струм стока:

-2,4А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
3,5пФ

Корпус - дюйм:
0201

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,5нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
MLP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
27нКл

Корпус:
SO8