1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
Немає в наявності
Код товару: CSD25310Q2T
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD25310Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,6нКл
Корпус: WSON6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 89мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,9Вт
Струм стока: -20А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A

375,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 100; straight; 300mA; 30V; SMT
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 100; straight; 300mA; 30V; SMT

145,72 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
100
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Кристал; 11,59179МГц; 20пФ; ±20ppm; ±5ppm/рік; 12,7x4,8x3,8мм
Кристал; 11,59179МГц; 20пФ; ±20ppm; ±5ppm/рік; 12,7x4,8x3,8мм

4,88 грн

Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Ємність:
20пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
12,7x4,8x3,8мм
Недоступний
Without nut; PG42; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable
Without nut; PG42; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable

1293,72 грн

Версія введення:
без гайки
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
12мм
Зовнішній діаметр проводу:
30...38мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,45нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8