1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMG3415UQ-7
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG3415UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 71мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: -2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: дротяний; 68Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,75x30мм
Резистор: дротяний; 68Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,75x30мм

45,62 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
68Ом
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,9÷86,1В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,9÷86,1В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
IC: лічильник електроенергії; I2C,SMBus; WLSCP16; -40÷125°C
IC: лічильник електроенергії; I2C,SMBus; WLSCP16; -40÷125°C

67,16 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
програмований
Докладність вимірювання:
1%
Інтерфейс:
I2C; SMBus
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

403,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

217,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; 7x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В
Провід; 7x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В

85648,86 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з сріблених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вміст упаковки:
30,5м
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD