1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -260мА; Idm: -1,5А; 360мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -260мА; Idm: -1,5А; 360мВт
Немає в наявності
Код товару: DMP21D2UFA-7B
2,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP21D2UFA-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: X2-DFN0806-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: -260мА
Струм стоку в імпульсі: -1,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 221кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
221кОм
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 175ВAC; 225ВDC; 270В; 22кА; -55÷85°C
Варистор: металооксидний; THT; 175ВAC; 225ВDC; 270В; 22кА; -55÷85°C

70,32 грн

Енергія 2 мс:
315Дж
Кількість виводів:
2
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
270В
Провід; Alpha Essential C&C; 3x28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В
Провід; Alpha Essential C&C; 3x28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В

4679,43 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878 (Type B)
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPST-NO
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPST-NO

167,26 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR

588,57 грн

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD