1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -15А; 0,5Вт; SOT323

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -15А; 0,5Вт; SOT323
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP2165UW-7
22,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2165UW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -2А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206

18,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Акум: Ni-MH; AA; 2100мАг; 1,2В; ReCyko; -20÷50°C; 2шт.
Акум: Ni-MH; AA; 2100мАг; 1,2В; ReCyko; -20÷50°C; 2шт.

270,53 грн

Ємність:
2,1Аг
Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Номінальна напруга:
1,2В
Робоча температура:
-20...50°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Маркер: кабельний; Маркування: 0; 3÷6,5мм; H: 9мм; A: 7мм; -30÷100°C
Маркер: кабельний; Маркування: 0; 3÷6,5мм; H: 9мм; A: 7мм; -30÷100°C

326,91 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Довжина:
5мм
Зовнішній діаметр проводу:
3...6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
250шт.
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 70ВDC; 33ВAC; 10А; ізольований
Вимірювальний провід: одинарний; 70ВDC; 33ВAC; 10А; ізольований

631,02 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилки "банан" 2мм; з обох сторін
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В