1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA3413_R1_00001
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 146мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -3,4А
Струм стоку в імпульсі: -13,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 6,8кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
6,8кОм
Недоступний
Лічильник: електронний; робочий час; LCD; 48x24x48мм; -10÷60°C
Лічильник: електронний; робочий час; LCD; 48x24x48мм; -10÷60°C

4185,26 грн

Батарея/акумулятор:
батарея CR2477N 3В x1
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид входу 1:
на роз’ємах
Висота дисплея 1:
8мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1514,19 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,67А
Властивості блоків перетворювачів:
remote ON/OFF control
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.5mm; series 125; CuBe; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.5mm; series 125; CuBe; 1.5N; 20mΩ

102,00 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
11,8мм
Діаметр наконечника:
1,5мм
Довжина:
38,7мм
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 15нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; THT
Конденсатор: поліестровий; 15нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; THT

3,43 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 1,2кВ; Ufmax: 1,4В; If: 40А
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 1,2кВ; Ufmax: 1,4В; If: 40А

2296,63 грн

Виводи:
конектори
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; зворотний діод
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 2,5В; X7T; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 2,5В; X7T; ±20%; SMD; 0201

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD